（英語表記:ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とは、電子回路において、信号を増幅またはスイッチングすることができる半導体素子です。
1.トランジスタの概要
１９４０年代末に実用化され、その後真空管に代わってエレクトロニクスの主役となり、論理回路を構成するための電子部品としては最も普及しております。集積回路（ＩＣやＬＳＩ）の多くは微細なトランジスタの集合体で、その働きの基本となっているものがトランジスタです。
集積回路（ＣＰＵやＭＰＵ）に内蔵されているトランジスタの数は増え続け、今では一つのチップに７００億個以上のトランジスタで構成されている製品もあります。ＣＰＵやＭＰＵは、それらの膨大な数のトランジスタが高速でスイッチングを行うことで動作しており、スマートフォンやパソコン、コンピュータネットワーク、テレビ、自動車などのあらゆる機器や装置の動作においてトランジスタが使用されています。
トランジスタの語源は「ＴＲＡＮＳＦＥＲ = 伝達」と「ＲＥＳＩＳＴＯＲ = 抵抗」 を合わせた造語で、電気の流れをコントロールする意味から由来されていると言われています。
トランジスタはバイポーラトランジスター（ＢＪＴ）・電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）・絶縁ゲートトランジスタ（ＩＧＢＴ）があります。
2.バイポーラトランジスター
トランジスタは、Ｐ型半導体とＮ型半導体を、ＮＰＮまたはＰＮＰの順で接合した素子からできています。ダイオードのＮ側またはＰ側にもう一つＰ型あるいはＮ型を接合したものです。
トランジスタの回路記号は、図1のようになります。
Ｐ型半導体とＮ型半導体の接合の仕方によって、ＮＰＮ型とＰＮＰ型があります。
図１ トランジスタの回路記号（ＮＰＮ型とＰＮＰ型）
・ＮＰＮ型トランジスタの原理
図２はトランジスタの原理を簡単に表した図です。ＮＰＮ型トランジスタを表しています。Ｐ型はＰ型半導体、Ｎ型はＮ型半導体を表しています。
Ｐ型半導体には正電荷（＋マーク）があり、Ｎ型半導体には負電荷（―マーク）があります。正電荷は正孔、負電荷は電子となります。
図２ トランジスタの原理のイメージ
図２の中央のＰ型は、非常に薄く出来ています。中央のＰ型部分の電極をベース、隣のＮ型部分の電極をエミッタ、もう一方をコレクタと呼びます。
ダイオードと同様にＰ型とＮ型を接触させると、接合面で正電荷と負電荷の電気的中立を保つため、Ｐ型の正孔をＮ型の電子が埋めて稼働する電荷がない領域ができて安定します。この領域を空乏層と呼びます。
図３は、図２のＮＰＮ型トランジスタのベースに＋、エミッタに―の電圧を加えた図です。
